[实用新型]一种SRAM芯片单粒子闩锁测试机有效

专利信息
申请号: 201320735260.4 申请日: 2013-11-19
公开(公告)号: CN203535964U 公开(公告)日: 2014-04-09
发明(设计)人: 贡顶 申请(专利权)人: 苏州珂晶达电子有限公司
主分类号: G11C29/56 分类号: G11C29/56
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 汤东凤
地址: 215123 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种SRAM芯片单粒子闩锁测试机,其用于检测若干个SRAM芯片的闩锁,若干个SRAM芯片呈n×m矩阵式排列,n、m均为正整数。SRAM芯片单粒子闩锁测试机包括MCU、模拟电路选择器、ADC转换器、n+m个电阻。每个SRAM芯片的VCC端口作为列线,每个SRAM芯片的GND端口作为行线,位于相同列线上的VCC端口均一起连接再经由一个电阻连接至电源VCC,n个列线上相应具有n个电阻,位于相同行线上的GND端口均一起连接再经由另一个电阻连接至地GND,m个行线上相应具有m个电阻。MCU通过控制模拟电路选择器选择第i行以及第j列的电流信号至ADC转换器,MCU接收ADC转换后的电流信号,根据电流大小是否超过某个阈值判断第i行,第j列的SRAM芯片是否发生闩锁。
搜索关键词: 一种 sram 芯片 粒子 测试
【主权项】:
一种SRAM芯片单粒子闩锁测试机,其特征在于:其用于检测若干个SRAM芯片的闩锁,该若干个SRAM芯片呈n×m矩阵式排列,n、m均为正整数,该SRAM芯片单粒子闩锁测试机包括MCU、模拟电路选择器、ADC转换器、n+m个电阻,每个SRAM芯片的VCC端口作为列线,每个SRAM芯片的GND端口作为行线,位于相同列线上的VCC端口均电性连接在一起且再经由一个电阻连接至电源VCC,n个列线上相应具有n个电阻以监控每个VCC端口的电流,位于相同行线上的GND端口均电性连接在一起且再经由另一个电阻连接至地GND,m个行线上相应具有m个电阻以监控每个GND端口的电流,该ADC转换器检测n+m个电阻的电流信号以转换为n+m个数字信号,该MCU通过控制该模拟电路选择器选择第i行以及第j列的电流信号至ADC转换器,该MCU接收ADC转换后的电流信号,根据电流大小是否超过某个阈值判断第i行,第j列的SRAM芯片是否发生闩锁。
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