[实用新型]半导体整流桥有效
申请号: | 201320683512.3 | 申请日: | 2013-11-01 |
公开(公告)号: | CN203631532U | 公开(公告)日: | 2014-06-04 |
发明(设计)人: | 邓华鲜 | 申请(专利权)人: | 乐山希尔电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/373;H01L25/07;H01L23/31 |
代理公司: | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人: | 邓小兵 |
地址: | 614000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种半导体整流桥,包括塑封体、固定二极管的框架和铝基板,所述铝基板设置在框架上,所述框架和铝基板通过塑封体连接成一整体,且铝基板与框架之间的距离小于1mm。本实用新型在保证其绝缘性能的前提下,能够有效降低半导体整流桥的热阻率,提高半导体整流桥的功率密度,使半导体整流桥的最大输出电流能够达到50A。 | ||
搜索关键词: | 半导体 整流 | ||
【主权项】:
一种半导体整流桥,其特征在于:包括塑封体(1)、固定二极管的框架(2)和铝基板,所述铝基板设置在框架(2)上,所述框架(2)和铝基板通过塑封体(1)连接成一整体,且铝基板与框架(2)之间的距离小于1mm。
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