[实用新型]芯片级滤波器封装结构有效
| 申请号： | 201320523029.9 | 申请日： | 2013-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN203466174U | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 王宁;刘长顺;张水清;张修华 | 申请（专利权）人： | 深圳华远微电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/04 | 分类号： | H01L23/04;H01L23/552 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518125 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开一种芯片级滤波器封装结构，包括空腔围墙和金属屏蔽层，其特征是：其是几何形状的四面等高围墙式；所述空腔围墙的内部四个侧面与芯片的四个侧面接触；所述空腔围墙的环形端面与基板的表面接触；所述空腔围墙的外部四个侧面置于包封胶中。所述金属屏蔽层是薄片式；所述金属屏蔽层贴附在芯片背面，所述金属屏蔽层置于包封胶中。本实用新型由于围墙式设计，使得基板上的芯片完全罩于空腔围墙和金属屏蔽层中，防止了包封胶流到芯片表面的换能器上，同时金属屏蔽层贴附在芯片背面，使器件具有了屏蔽功能。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片级 滤波器 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种芯片级滤波器封装结构，包括空腔围墙和金属屏蔽层，其特征是所述空腔围墙其是几何形状的四面等高围墙式；所述金属屏蔽层是薄片式。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳华远微电科技有限公司，未经深圳华远微电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201320523029.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种隔爆结构绝缘热管散热器
- 下一篇：一种半导体晶片兼容测试载台
