[实用新型]一种BE结集成电阻的改进型槽型联栅晶体管有效
| 申请号： | 201320264090.6 | 申请日： | 2013-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN203423186U | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 张雷;乔宇波;梁明 | 申请（专利权）人： | 深圳市盛元半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种BE结集成电阻的改进型槽型联栅晶体管，包括集电极的引出端、N+衬底、N+导电材料层、N-导电材料层、槽型栅极、基区、氧化层、多晶硅层以及发射极，所述集电极的引出端、N+衬底、N+导电材料层以及N-导电材料层依次相连，所述N-导电材料层上设有两个注有B的槽型栅极，所述栅极之间设有注有B的基区，栅极和基区通过扩散后连成一体，栅极和基区上面设有氧化层，基区和氧化层上开有发射极，同时氧化层上淀积有多晶硅层，多晶硅层通过离子注入As/P形成导电层。本实用新型热稳定性好，抗冲击能力和抗高频辐射能力强；为终端客户节省成本，提升电路的集成度，具有一定的应用与推广价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 be 结集 电阻 改进型 槽型联栅 晶体管 | ||
【主权项】：
一种BE结集成电阻的改进型槽型联栅晶体管，包括集电极的引出端、N+衬底、N+导电材料层、N‑导电材料层、槽型栅极、基区、氧化层、多晶硅层以及发射极，其特征是：所述集电极的引出端、N+衬底、N+导电材料层以及N‑导电材料层依次相连，所述N‑导电材料层上设有两个注有B的槽型栅极，所述栅极之间设有注有B的基区，栅极和基区通过扩散后连成一体，栅极和基区上面设有氧化层，基区和氧化层上开有发射极，发射极上面的多晶硅层经过高温扩散后在发射极下面形成一定的发射区。
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