[实用新型]一种锗隧穿二极管有效
| 申请号： | 201320076841.1 | 申请日： | 2013-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN203055920U | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 郑云华;韩基东 | 申请（专利权）人： | 无锡汉咏微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/88 | 分类号： | H01L29/88;H01L29/16;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种锗隧穿二极管，由重掺杂N型锗片基层、重掺杂P型锗层和铝锗合金层以及氮化镓化合物层组成，铝锗合金层设在重掺杂N型锗片基层中部，氮化镓化合物层包覆在重掺杂N型锗片基层和铝锗合金层上部，重掺杂P型锗层设在重掺杂N型锗片基层和铝锗合金层之间。所述的一种锗隧穿二极管，此种设计的二极管，其具有生产材料设备成本低，实现了隧穿器件电流密度高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 锗隧穿 二极管 | ||
【主权项】：
一种锗隧穿二极管，其特征是：由重掺杂N型锗片基层（1）、重掺杂P型锗层（2）和铝锗合金层（3）以及氮化镓化合物层（4）组成，所述的铝锗合金层（3）设在重掺杂N型锗片基层（1）中部，氮化镓化合物层（4）包覆在重掺杂N型锗片基层（1）和铝锗合金层（3）上部，重掺杂P型锗层（2）设在重掺杂N型锗片基层（1）和铝锗合金层（3）之间。
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