[发明专利]用于检测CDSEM机台的方法、晶圆、晶圆的制作方法有效
| 申请号： | 201310753940.3 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104752407B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 曹艳;龚太成;黄怡;蔡博修 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种用于检测CDSEM机台焦点偏移的方法、检测晶圆及其制作方法。该检测晶圆包括：衬底；氧化层，设置在衬底的上表面上，并形成间隔布置的多个氧化层单元；多晶硅层，设置在氧化层上，并形成与多个氧化层单元一一对应的具有预定器件宽度的多晶硅层单元；TaN层，覆盖在衬底裸露的上表面、各多晶硅层单元上表面和侧表面以及各氧化层单元的侧表面上。本申请的晶圆中TaN层具有良好的电传导性，使被测的多晶硅层和TaN层能够较长时间内保持形状不变，进而在以多晶硅层和TaN层作为测量对象时能够得到较为准确的器件宽度；而且，该晶圆对焦点漂移、光束变化具有较强的敏感性，进而保证CDSEM机台工作的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 多晶硅层 氧化层 上表面 衬底 检测 侧表面 漂移 测量对象 电传导性 间隔布置 焦点偏移 预定器件 对焦点 制作 申请 裸露 覆盖 保证 | ||
【主权项】：
1.一种用于检测CDSEM机台的焦点偏移的检测晶圆，其特征在于，所述检测晶圆包括：衬底；氧化层，设置在所述衬底的上表面上，并形成间隔布置的多个氧化层单元；多晶硅层，设置在所述氧化层上，并形成与所述多个氧化层单元一一对应的具有预定器件宽度的多晶硅层单元；TaN层，覆盖在所述衬底裸露的上表面、各所述多晶硅层单元上表面和侧表面以及各所述氧化层单元的侧表面上。
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