[发明专利]异形薄膜光伏组件的制作方法有效
申请号: | 201310753801.0 | 申请日: | 2013-12-30 |
公开(公告)号: | CN104752555B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 韩亮;冯仁华;籍龙占;汤顺伟;吴奔;王圣;熊丰;潘胜浆;谢丑相;钟湘进 | 申请(专利权)人: | 龙焱能源科技(杭州)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 310018 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明提供了一种异形薄膜光伏组件的制作方法,包括提供待切割薄膜光伏组件;确定所需要的异形薄膜光伏组件面积最大的内接矩形的尺寸,按照所述尺寸在待切割薄膜光伏组件上形成所述内接矩形;按照所需要的异形薄膜光伏组件的形状和尺寸切割所述待切割薄膜光伏组件。上述方法通过确定需要的组件面积最大的内接矩形的尺寸,以确定最终形成的组件产生功率的最大有效面积,然后在待切割组件上形成所确定的内接矩形,该内接矩形内包括相互串联的多个子电池,最后在该内接矩形处切割出需要形状的组件,从而可得到任意形状的薄膜光伏组件,满足了多种系统的需求。 | ||
搜索关键词: | 异形 薄膜 组件 制作方法 | ||
【主权项】:
一种异形薄膜光伏组件的制作方法,其特征在于,包括:提供待切割薄膜光伏组件,所述待切割薄膜光伏组件包括:基板,位于所述基板一面上的前电极层,位于所述前电极层表面上的半导体层和位于所述半导体层表面上的背电极层;确定所需要的异形薄膜光伏组件面积最大的内接矩形的尺寸,按照所述尺寸在所述待切割薄膜光伏组件上形成所述内接矩形,所述内接矩形的边为穿透所述前电极层、半导体层和背电极层的绝缘沟槽;按照所需要的异形薄膜光伏组件的形状和尺寸切割所述待切割薄膜光伏组件,使所述内接矩形为切割得到的结构的内接矩形;当在同一所述待切割薄膜光伏组件上切割多个异形薄膜光伏组件时,所述确定所需要的异形薄膜光伏组件面积最大的内接矩形的尺寸,按照所述尺寸在所述待切割薄膜光伏组件上形成所述内接矩形,所述内接矩形的边为穿透所述前电极层、半导体层和背电极层的绝缘沟槽具体包括:确定所述多个异形薄膜光伏组件各自面积最大的内接矩形的尺寸;对所述多个异形薄膜光伏组件进行布局,确定所述多个异形薄膜光伏组件在所述待切割薄膜光伏组件上各自的位置;根据所确定的多个异形薄膜光伏组件各自的位置,按照所确定的多个异形薄膜光伏组件各自面积最大的内接矩形的尺寸,在所述待切割薄膜光伏组件上形成所述多个异形薄膜光伏组件各自面积最大的内接矩形,所述内接矩形的边为穿透所述前电极层、半导体层和背电极层的绝缘沟槽;所述多个异形薄膜光伏组件的形状相同或不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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