[发明专利]一种晶圆级白光LED芯片的切割方法在审
| 申请号： | 201310749016.8 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104752571A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 封波;刘乐功 | 申请（专利权）人： | 晶能光电(江西)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330096 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆级白光LED芯片的切割方法，包括通过衬底转移工艺制备垂直结构的GaNLED晶圆片，激光切割晶圆片正面的切割道，形成凹槽，在晶圆片上涂布一荧光胶层并烘烤固化，对晶圆片背面减薄并蒸镀背金层，刀片背切晶圆片，切割位置与正面的凹槽相对应，沿晶圆片的凹槽进行劈裂，获得单颗白光LED芯片。本发明可以很顺利地实现晶圆级白光LED芯片的分离，不会破坏LED芯片表面的荧光胶层，避免了传统切割工艺带来的破损、崩裂现象，提高了白光LED的生产良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆级 白光 led 芯片 切割 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆级白光LED芯片的切割方法，其特征在于包括如下步骤：通过衬底转移工艺制备垂直结构的GaN LED晶圆片；激光切割晶圆片正面的切割道，形成凹槽；在晶圆片上涂布一荧光胶层并烘烤固化；对晶圆片背面减薄并蒸镀背金层；刀片背切晶圆片，切割位置与正面的凹槽相对应；沿晶圆片的凹槽进行劈裂，获得单颗白光LED芯片。
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