[发明专利]一种气体供应装置及其等离子体反应装置在审
| 申请号： | 201310745217.0 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104752137A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 周旭升;王洪青 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;C23C16/455 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种气体供应装置及其等离子体反应装置，所述气体供应装置在包括一刻蚀气体源和一沉积气体源，所述刻蚀气体源和所述沉积气体源后端分别连接一气体流量控制装置，优选的所述气体流量控制装置为CMOS感应气体流量控制装置，可以实现1s内高低气体流量的切换，所述气体流量控制装置后端分别连接两个控制阀门，每个气体流量控制装置的一个控制阀门连接一排气装置，另一控制阀门与真空反应腔相连。采用本技术方案，不仅可以有效的过滤掉MFC频繁切换导致的反应气体激增和延迟，还能大大节约排放到排气装置20内的反应气体，相比现有技术，节约了近一半的反应气体，有效提高了刻蚀工艺的原材料利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 气体 供应 装置 及其 等离子体 反应 | ||
【主权项】：
一种气体供应装置，其特征在于，所述装置包括一刻蚀气体源和一沉积气体源，所述刻蚀气体源和所述沉积气体源后端分别连接一气体流量控制装置，所述气体流量控制装置后端分别连接两个控制阀门，每个气体流量控制装置的一个控制阀门连接一排气装置，另一控制阀门与真空反应腔相连，所述流量控制装置可以在小于1秒的时候内打开、闭合或者低气体流量状态和高气体流量状态的切换。
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