[发明专利]应对FLASH芯片异常掉电的读取方法有效
| 申请号： | 201310744401.3 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104751884B | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 胡洪;洪杰;王林凯 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种应对FLASH芯片异常掉电的读取方法；其中所述读取方法包括：读取FLASH芯片中掉电保护单元；掉电保护单元用于FLASH芯片在擦除过程中异常掉电时，记录FLASH芯片存储阵列中当前擦除区域的地址信息；当掉电保护单元存储有地址信息时，读取地址信息；当所述地址信息与预读取区域的地址信息相同时，对地址信息对应的存储阵列中区域进行读取修正；读取修正为调整读取时的读取电流；以及读取修正后，对预读取区域进行读取。本发明提供应对FLASH芯片异常掉电的读取方法，在对异常掉电时未进行过擦除修正的存储单元进行读取修正后对预读取位置进行读取，减少了读取的误读，提升了FLASH芯片的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 应对 flash 芯片 异常 掉电 读取 方法 | ||
【主权项】：
1.一种应对FLASH芯片异常掉电的读取方法，其特征在于，包括：读取FLASH芯片中掉电保护单元；所述掉电保护单元用于FLASH芯片在擦除过程中异常掉电时，记录FLASH芯片存储阵列中当前擦除区域的地址信息；当所述掉电保护单元存储有地址信息时，读取所述地址信息；当所述地址信息与预读取区域的地址信息相同时，对所述地址信息对应的存储阵列中区域进行读取修正；所述读取修正为调整读取时的读取电流；以及读取修正后，对所述预读取区域进行读取；其中，所述预读取区域是准备进行读取的存储单元所在的区域，所述读取修正为通过在位线、字线或电源线施加电压值，进而改变在读取时产生的读取电流。
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