[发明专利]固态宽电压隔离型直流继电器

摘要

本发明是关于一种固态宽电压隔离型直流继电器，其特征包括：5～24V直流电源、控制电压输入及光电耦合电路、场效应管驱动电路、负载电路；所述的控制电压输入及光电耦合电路由电阻R1、光电耦合器IC1组成，光电耦合器IC1选用的型号为4N3或4N26；所述的场效应管驱动电路由N沟道增强型大功率场效应管VT1、电阻R2、电阻R3和硅整流二极管D2组成；所述的负载电路由负载RL和硅整流二极管D1组成。本发明所述的固态宽电压隔离型直流继电器是一个电控隔离型直流控制开关，光电隔离绝缘电压可达几千伏，因MOSFET管的导通电阻很小，故具有开关损耗极小，工作电压范围宽、开关速度快等优点，所以它有很宽的应用范围。

主权项

一种固态宽电压隔离型直流继电器，它包括5～24V直流电源、控制电压输入及光电耦合电路、场效应管驱动电路、负载电路，其特征在于：所述的控制电压输入及光电耦合电路由电阻R1、光电耦合器IC1组成，光电耦合器IC1选用的型号为4N3或4N26，电阻R1的一端接控制电压的正极V＋,电阻R1的另一端接光电耦合器IC1的第1脚，光电耦合器IC1的第2脚接控制电压的负极V－；所述的场效应管驱动电路由N沟道增强型大功率场效应管VT1、电阻R2、电阻R3和硅整流二极管D2组成，N沟道增强型大功率场效应管VT1选用的型号为IRFZ22，N沟道增强型大功率场效应管VT1的栅极接光电耦合器IC1的第4脚和电阻R2的一端，N沟道增强型大功率场效应管VT1的源极和电阻R2的另一端接电路地GND，光电耦合器IC1的第5脚通过电阻R3接电路正极VCC，硅整流二极管D2的负极接N沟道增强型大功率场效应管VT1的漏极，硅整流二极管D2的正极接电路地GND；所述的负载电路由负载RL和硅整流二极管D1组成，负载RL的一端和硅整流二极管D1的负极接电路正极VCC，负载RL的另一端和硅整流二极管D1的正极接N沟道增强型大功率场效应管VT1的漏极；所述的5～24V直流电源的正极接电路正极VCC，5～24V直流电源的负极与电路地GND相连。