[发明专利]非易失性存储器部份擦洗方法有效
| 申请号： | 201310727254.9 | 申请日： | 2013-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104751880B | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 陈毓明;苏腾;黄科颖 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 贾磊 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种非易失性存储器部份擦洗方法，用以擦洗目标擦洗区域，其中非易失性存储器分为目标擦洗区域以及非选择区域，一擦洗周期的步骤包括：界定目标擦洗区域，其中非选择区域为非易失性存储器上除了目标擦洗区域的区域；擦洗目标擦洗区域的目标存储器单元，其中目标存储器单元设定为具有不大于擦洗验证电压的临限电压；软编程目标存储器单元，其中目标存储器单元设定为具有不小于软编程验证电压的临限电压，软编程验证电压小于擦洗验证电压；以及刷新非选择区域的既定部份，其中在擦洗周期中被刷新的既定部份小于非选择区域，以此使得擦洗方法更为有效率，降低了不必要的擦洗时间且降低每一周期的擦洗时间。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 部份 擦洗 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器部份擦洗方法，适用于擦洗一非易失性存储器的一目标擦洗区域，其特征在于，所述非易失性存储器分为所述目标擦洗区域以及一非选择区域，一擦洗周期的步骤包括：界定所述非易失性存储器的所述目标擦洗区域，其中所述非选择区域为所述非易失性存储器上除了所述目标擦洗区域的区域；擦洗所述目标擦洗区域的多个目标存储器单元，其中所述目标存储器单元设定为具有不大于一擦洗验证电压的临限电压；软编程所述目标存储器单元，其中所述目标存储器单元设定为具有不小于一软编程验证电压的临限电压，所述软编程验证电压小于所述擦洗验证电压；以及刷新所述非选择区域的一既定部份，其中在所述擦洗周期中被刷新的所述既定部份小于所述非选择区域；所述非选择区域分为分别被编号为奇数以及偶数的多个非选择子区域，所述非选择子区域分别对应至一奇数区域以及一偶数区域，而所述既定部份对应至所述奇数区域以及所述偶数区域之一。
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