[发明专利]静电感应晶体管的制造方法以及静电感应晶体管

摘要

本发明提供了一种静电感应晶体管的制造方法以及静电感应晶体管。所述方法包括如下步骤：提供导电类型为N型的硅衬底；在所述硅衬底的一背面形成磷掺杂层；在所述硅衬底的一正面形成导电类型为P型的栅墙和栅条；采用一键合衬底与所述硅衬底的正面键合，所述键合衬底的导电类型为N型；在所述键合衬底中形成通孔，以暴露出所述栅墙。本发明的优点在于，采用键合的方式形成覆盖栅墙和栅条的N型覆盖层，这可以使覆盖层的掺杂浓度得到精确控制，对于提高静电感应晶体管的电学性能有重要意义；并且硅衬底在与所述覆盖层相对的另一表面形成磷掺杂层，该层用以吸收制造过程中在硅衬底中引入的杂质，亦可以提高静电感应晶体管的电学性能。

主权项

一种静电感应晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供导电类型为N型的硅衬底；在所述硅衬底的一背面形成磷掺杂层，用于形成欧姆接触层，所述磷掺杂层的作用在于能够吸收后续工艺中硅衬底中的杂质，保证正面的反型掺杂和微量杂质的浓度可以精确控制；在所述硅衬底的一正面形成导电类型为P型的栅墙和栅条；采用一键合衬底与所述硅衬底的正面键合，所述键合衬底的导电类型为N型；在所述键合衬底中形成通孔，以暴露出所述栅墙用于制作引出电极；所述形成磷掺杂层的步骤进一步包括：同时在所述硅衬底的正面形成第一覆盖层，背面形成第二覆盖层；去除背面的所述第二覆盖层；在背面形成磷掺杂层，正面保留的第一覆盖层继续用作后续形成栅墙和栅条的掺杂阻挡层；所述形成栅墙和栅条的步骤进一步包括：图形化所述第一覆盖层；以所述第一覆盖层为阻挡层，在硅衬底中形成导电类型为P型的栅墙和栅条；去除所述第一覆盖层。