[发明专利]一种荧光半导体纳米晶防伪纸的制备方法在审
| 申请号： | 201310717991.0 | 申请日： | 2013-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103669111A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 陈启杰;王萍;晏永祥 | 申请（专利权）人： | 长沙理工大学 |
| 主分类号： | D21H21/30 | 分类号： | D21H21/30;D21H21/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410114 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种荧光半导体纳米晶防伪纸的制备方法。该方法将荧光半导体纳米晶均匀分散在载体溶液中，然后将载体溶液均匀涂布于纸张上，将纳米晶载入纸页中，保留半导体纳米晶独特的荧光防伪性能，制备出纳米晶防伪纸。本发明提供的荧光半导体纳米晶防伪纸，半导体纳米晶具有良好的光化学稳定性，保持了纳米晶良好的荧光特性，具有比常规荧光防伪纸更加稳定的荧光防伪效果，且更加难以仿制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 荧光 半导体 纳米 防伪 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种荧光半导体纳米晶防伪纸的制备方法，其特征在于：将荧光半导体纳米晶均匀分散在载体溶液中，然后将载体溶液均匀涂布于纸张上，将纳米晶载入纸页中，保留半导体纳米晶独特的荧光特性，制备出纳米晶防伪纸。
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