[发明专利]提高背面注入杂质激活率的方法在审
| 申请号： | 201310696715.0 | 申请日： | 2013-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103700586A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 潘建华;张继;李俊;陶军 | 申请（专利权）人： | 无锡中微晶园电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 曹祖良;刘海 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种提高背面注入杂质激活率的方法，其特征是，包括以下步骤：（1）将芯片放入常规快速热处理设备中，通氮气排除快速热处理设备中的空气，氮气流量为50±10L/min，稳定3～5分钟；（2）升温至700～1100℃，升温的同时降低氮气流量为5±1L/min，在700～1100℃保持30～60秒；（3）加热完毕后，将芯片取出在60秒内恢复至常温。本发明具有以下优点：本发明采用业界常用的快速热处理设备就可以完成，工艺简单；激活率得到大大提高。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 背面 注入 杂质 激活 方法 | ||
【主权项】：
一种提高背面注入杂质激活率的方法，其特征是，包括以下步骤：（1）将芯片放入常规快速热处理设备中，通氮气排除快速热处理设备中的空气，氮气流量为50±10 L/min，稳定3～5分钟；（2）升温至700～1100℃，升温的同时降低氮气流量为5±1 L/min，在700～1100℃保持30～60秒；（3）加热完毕后，将芯片取出在60秒内恢复至常温。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
