[发明专利]一种台阶形沟槽-场限环复合终端结构

摘要

本发明公开了一种台阶形沟槽-场限环复合终端结构，在芯片的中央区域为有源区，外围区域为终端区，有源区和终端区共同的n^-衬底下方依次为n型FS层、p⁺阳极区及其阳极；在有源区中，n^-基区中设置有多个并联的单元，每个单元内与n^-基区相邻的是波状p基区，p基区上面为p⁺基区，p⁺基区中央设置有一个阴极n⁺发射区，每个n⁺发射区上方设置有阴极；p⁺基区上方设置有一个门极；在终端区的n^-衬底内，设有与主结相连的两级场限环，场限环的上面有台阶状沟槽。本发明的复合终端结构可使终端击穿电压达到理想体击穿电压的95%以上。

主权项

一种台阶形沟槽‑场限环复合终端结构，其特征在于：将芯片的中央区域作为有源区，将有源区外围区域作为终端区，有源区和终端区共同的n^‑衬底下方设置有n型FS层，在n型FS层下方设置有p⁺阳极区及其阳极；在有源区中，n^‑基区中设置有多个并联的单元，每个单元内与n^‑基区相邻的是波状p基区，p基区上面为p⁺基区，p⁺基区中央设置有一个阴极n⁺发射区，每个n⁺发射区上方设置有阴极；p⁺基区上方设置有门极，并且整个门极环绕在所包围的阴极n⁺发射区的周围；在有源区中，n^‑基区中设置有多个并联的单元，每个单元内与n^‑基区相邻的是波状p基区，p基区上面为p⁺基区，p⁺基区中央设置有一个阴极n⁺发射区，每个n⁺发射区上方设置有阴极电极；p⁺基区上方设置有门极，并且整个门极电极环绕在所包围的阴极区的周围；在终端区的n^‑衬底内，在主结外侧依次设置了两个宽度相同、间距不同的场限环，选择性地除去场限环上面高浓度的p⁺区，使主结与两个场限环之间通过p⁺区相连，同时使上面的p⁺区沟槽成台阶形状，台阶最低面位于p⁺区的终止位置，沟槽最大深度与p⁺区厚度相同，沟槽区填充有钝化层。