[发明专利]SRAM存储单元、SRAM存储单元写操作方法及SRAM存储器有效
| 申请号： | 201310674701.9 | 申请日： | 2013-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103700397B | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 赵立新;董小英;俞大立;乔劲轩 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SRAM存储单元、SRAM存储单元写操作方法及SRAM存储器。所述SRAM存储单元包括数据锁存器、选择控制器、第一传输管及第二传输管，所述选择控制器与所述数据锁存器的电源相连，用于控制所述数据锁存器的电源与电源电压相连或者与地电平相连。所述写操作方法包括在对所述SRAM存储单元进行写操作之前，对所述SRAM存储单元清零，使第一存储节点和第二存储节点放电至地电平。本发明可以提高SRAM存储单元写操作的可靠性，降低写操作时的瞬时功耗。 | ||
| 搜索关键词： | sram 存储 单元 操作方法 存储器 | ||
【主权项】：
一种SRAM存储单元，其特征在于，包括：数据锁存器，所述数据锁存器包括存储数据反向的第一存储节点和第二存储节点；选择控制器，所述选择控制器与所述数据锁存器的电源相连，用于控制所述数据锁存器的电源与电源电压相连或者与地电平相连，其中与地电平相连用于在所述第一存储节点和第二存储节点写入数据之前，对两存储节点清零；第一传输管，所述第一传输管位于第一位线与所述第一存储节点之间；第二传输管，所述第二传输管位于第二位线与所述第二存储节点之间；所述第一传输管的栅极和所述第二传输管的栅极均与字线相连。
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