[发明专利]存储器的制造方法

摘要

一种存储器的制造方法，包括提供基底，基底包括存储单元区与周边区；于存储单元区上形成多个第一栅极以及于周边区上形成至少一第二栅极；于基底上形成牺牲层；于存储单元区的牺牲层上形成第一停止层；以第一停止层为掩膜进行蚀刻工艺；于基底上顺应性地形成第二停止层；于第二停止层上沉积介电材料；以存储单元区上的第一与第二停止层作为研磨停止层对介电材料进行平坦化工艺；移除存储单元区上的第一停止层与第二停止层；以及在移除第一停止层与第二停止层之后，去除存储单元区上的牺牲层以于第一栅极之间形成多个第一接触开口。本发明在存储单元区与周边区上形成不同厚度的停止层，在进一步缩小存储器尺寸时可使接触插塞的着陆区不会受到压缩。

主权项

一种存储器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供一基底，该基底包括一存储单元区与一周边区；于该存储单元区上形成多个第一栅极以及于该周边区上形成至少一第二栅极；于该基底上形成一牺牲层，其中该牺牲层覆盖所述第一栅极、所述第二栅极且填入所述第一栅极之间；于存储单元区的该牺牲层上形成一第一停止层；以该第一停止层为掩膜进行一蚀刻工艺，以移除周边区的该牺牲层，进而暴露出该周边区上的该第二栅极；于该基底上顺应性地形成一第二停止层，该第二停止层覆盖该第一停止层、该牺牲层的侧壁、与该周边区上的该第二栅极；于该第二停止层上沉积一介电材料；以该存储单元区上的该第一与第二停止层作为研磨停止层对该介电材料进行一平坦化工艺，以于该周边区形成一层间介电层；移除存储单元区上的该第一停止层与该第二停止层；以及在移除该第一停止层与该第二停止层之后，去除该存储单元区上的该牺牲层以于所述第一栅极之间形成多个第一接触开口。