[发明专利]光刻工艺图形缺陷检测方法有效
| 申请号： | 201310631490.0 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103645612A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 王伟斌;季亮;魏芳;张旭昇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陶金龙 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种光刻工艺中版图设计友善性检测方法，包括如下步骤：将设计目标图形数据转化为光刻目标图形；对光刻目标图形依次进行第一次光学邻近效应修正和第一次工艺偏差图形模拟;对光刻目标图形进行第一次工艺热点检测；若第一次工艺热点检测发现至少一个潜在工艺热点，则对各潜在工艺热点附近的光刻目标图形分别进行第二次光学邻近效应修正和第二次工艺偏差图形模拟；根据第二次工艺偏差图形模拟的结果对各检测区域进行第二次工艺热点检测；其中，检测区域与潜在工艺热点一一对应，并根据潜在工艺热点的位置而生成。该方法可缩短光刻工艺中版图设计友善性检测的耗时，实现对工艺热点的快速准确的查找，并减少软件和硬件的使用成本。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 工艺 图形 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻工艺中版图设计友善性检测方法，包括如下步骤：a)、将设计目标图形数据转化为光刻目标图形；b)、对所述光刻目标图形依次进行第一次光学邻近效应修正和第一次工艺偏差图形模拟；c)、根据所述第一次工艺偏差图形模拟的结果对所述光刻目标图形进行第一次工艺热点检测；d)、若所述第一次工艺热点检测发现至少一个潜在工艺热点，则对各所述潜在工艺热点附近的光刻目标图形分别进行第二次光学邻近效应修正和第二次工艺偏差图形模拟；e)、根据所述第二次工艺偏差图形模拟的结果对各检测区域进行第二次工艺热点检测；其中，所述检测区域与所述潜在工艺热点一一对应，并根据所述潜在工艺热点的位置而生成。
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