[发明专利]一种多发光子区GaN基LED集成芯片无效
| 申请号： | 201310617852.0 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103730479A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 徐洲;陈鹏;谭崇斌;徐兆青;张琳;吴真龙;徐峰;高峰;邵勇;王栾井;宋雪云 | 申请（专利权）人： | 南京大学扬州光电研究院 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种多发光子区GaN基LED集成芯片，属于LED芯片结构的技术领域，包括衬底、n-GaN层、量子阱有源区、p-GaN层、电流扩展层、P电极和至少两个发光子区，相邻的发光子区之间设有相互隔离的沟槽，沟槽的底部位于衬底表面。本发明极大程度地减小互连线横跨沟槽时断路的概率，可以提高芯片内全反射光出射的概率，减少内反射损耗，从而提高光抽取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多发 子区 gan led 集成 芯片 | ||
【主权项】：
一种多发光子区GaN基LED集成芯片，包括衬底、n‑GaN层、量子阱有源区、p‑GaN层、电流扩展层和P电极，其特征在于：所述芯片包括至少两个发光子区，相邻的发光子区之间设有相互隔离的沟槽，所述沟槽的底部位于衬底表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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