[发明专利]铜阳极或含磷铜阳极、在半导体晶片上电镀铜的方法及粒子附着少的半导体晶片有效
| 申请号： | 201310598092.3 | 申请日： | 2008-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN103726097A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 相场玲宏;高桥祐史 | 申请（专利权）人： | JX日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C25D17/10 | 分类号： | C25D17/10;C22C9/00;H01L21/288 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在半导体晶片上电镀铜中使用的铜阳极或含磷铜阳极，其特征在于，铜阳极或除磷以外的含磷铜阳极的纯度为99.99重量%以上、杂质硅的含量为10重量ppm以下。本发明提供进行电镀铜时能够有效防止在被镀物特别是半导体晶片上粒子附着的电镀铜方法、电镀铜用含磷铜阳极及具有使用它们进行电镀铜而得到的粒子附着少的铜层的半导体晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 阳极 含磷铜 半导体 晶片 镀铜 方法 粒子 附着 | ||
【主权项】：
一种在半导体晶片上电镀铜中使用的铜阳极，其特征在于，铜阳极的纯度为99.99重量%以上且99.995重量%以下，杂质硅的含量为0.02重量ppm以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于JX日矿日石金属株式会社，未经JX日矿日石金属株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310598092.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
