[发明专利]一种提高偏心旋转磁控溅射系统的准直性方法有效
| 申请号： | 201310575131.8 | 申请日： | 2013-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103572239A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 王人成;张若凡;程嘉;阎绍泽;季林红 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 黄家俊 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于电子机械领域的一种提高偏心旋转磁控溅射系统的准直性方法，该方法为：1）在具有小面积运动磁控管的SIP溅射腔室外部贴近壁面处添加辅助磁极，并设置辅助磁极的布置方式，确定相关结构参数，使辅助磁极在SIP溅射腔室内部产生轴向磁场；2）根据磁控管的结构特征确定任一时刻辅助磁极的通电方式；3）根据磁控管的运动特性设置辅助磁极不同时刻的通电组合切换规律。本发明通过在SIP溅射腔室外添加辅助磁极，产生了与磁控管形状相匹配的轴向磁场，在不同时刻采用不同的通电组合，可对不同区域提供局部轴向磁场，提高了溅射粒子的离化率，提高了离子飞向基片的准直性，减少侧壁损失，改善对高深宽比图形的镀膜效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 偏心 旋转 磁控溅射 系统 直性 方法 | ||
【主权项】：
一种提高偏心旋转磁控溅射系统的准直性方法，其特征在于，该方法为：1）在具有小面积运动磁控管的SIP溅射腔室外部贴近壁面处添加辅助磁极，并设置辅助磁极的布置方式，确定相关结构参数，使辅助磁极在SIP溅射腔室内部产生轴向磁场；2）根据磁控管的结构特征确定任一时刻辅助磁极的通电方式；3）根据磁控管的运动特性设置辅助磁极不同时刻的通电组合切换规律。
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