[发明专利]控制硅锭铸造中结晶速度的方法有效
| 申请号： | 201310574258.8 | 申请日： | 2013-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103603032A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 李孟;方军杰;周秉林;魏景拓 | 申请（专利权）人： | 英利集团有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种控制硅锭铸造中结晶速度的方法。该方法包括采用铸锭炉进行结晶，结晶的过程包括多个工艺控制步骤，至少一个工艺控制步骤中铸锭炉按照预设的铸锭炉的输出功率运行以控制铸锭炉的热场内的热量。应用本发明的技术方案，控制光伏行业中硅锭铸造中结晶速度，改变现有PID控制器两步计算法，直接向控制器设定功率大小，避免了两步算法的滞后性，通过预设功率控制热场内稳定长晶所需的热量，从而使硅液结晶速度可控，稳定硅液结晶质量，避免了因温度控制再去计算输出功率的滞后性。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 铸造 结晶 速度 方法 | ||
【主权项】：
一种控制硅锭铸造中结晶速度的方法，包括采用铸锭炉进行结晶，所述结晶的过程包括多个工艺控制步骤，其特征在于，至少一个所述工艺控制步骤中所述铸锭炉按照预设的铸锭炉的输出功率运行以控制所述铸锭炉的热场内的热量。
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