[发明专利]一种在导电基体材料上制备纳米氮化钛层的方法

摘要

发明公开了一种在导电基体材料上制备纳米氮化钛层的方法，它是利用磁控溅射技术在基体表面沉积一层纳米级的纯金属或合金过渡层，再利用磁控溅射技术和电弧离子镀技术共同快速沉积一层氮化钛层，之后再利用磁控溅射技术沉积一层纳米级的氮化钛层。本发明利用磁控溅射沉积微细纳米粒子，提高过渡层的结合力；利用电弧离子镀沉积速度快的特点提高效率；利用磁控溅射沉积一层致密的和高质量的纳米级的氮化钛层提高表面质量。

主权项

一种在导电基体材料上制备纳米氮化钛层的方法，其特征是：包括如下步骤：（1）用导电材料作为被沉积基体材料，对其表面进行清洁处理，使其表面粗糙度达到Ra <1 μm；（2）用活化液、清洗液在超声波仪器中依次清洗被沉积基体材料，时间不少于10～30分钟；（3）将被沉积基体材料置入离子镀沉积设备中，抽真空到5×10‑4Pa～1×10‑3Pa，充入氩气到0.5～1Pa，首先利用偏压对被沉积基体材料表面进行清理，时间约20～40分钟；并将被沉积基体材料升温到200～300℃，其次利用磁控溅射沉积一层纯金属或合金作为过渡层，形成约0.1～0.5μm的过渡层；（4）将过渡层进行电弧和磁控溅射的共同沉积，时间40～60分钟，形成0.5～2μm的氮化钛层；（5）关闭电弧离子镀电源，保持磁控电源参数不变，单独用磁控溅射沉积，时间30～60分钟，表面形成0.3～1μm的纳米级氮化钛沉积层。