[发明专利]一种在游标卡尺表面沉积CrN薄膜的工艺无效
| 申请号： | 201310572297.4 | 申请日： | 2013-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103628023A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 高原;韦文竹;董中新;王成磊;张焱;吴炜钦;陆小会;张光耀 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06 |
| 代理公司： | 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 | 代理人： | 罗玉荣 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 发明公开了一种在游标卡尺表面沉积CrN薄膜的工艺，它是在4Cr13不锈钢制造的游标卡尺表面，利用多弧离子镀或磁控溅射镀或射频溅射镀技术，首先沉积一定厚度的纯金属作为过渡层，之后，再通入反应气体氮气，形成致密的CrN薄膜。表面CrN层是一种硬质陶瓷薄膜，具有耐腐蚀、耐磨损、化学稳定性好、韧性良好、低应力和好的表面质量等优点，较大幅度的提高了游标卡尺产品的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 游标卡尺 表面 沉积 crn 薄膜 工艺 | ||
【主权项】：
一种在游标卡尺表面沉积CrN薄膜的工艺，其特征是：包括如下步骤：（1）将游标卡尺放进丙酮和酒精的混合液中进行超声波清洗；（2）放入离子镀沉积设备中，抽真空到极限后通入高纯Ar气，开启偏压电源使Ar气电离，对游标卡尺表面进行清洗；（3）开启溅射电源，溅射电源可以是多弧离子镀电源或磁控溅射镀电源或射频溅射镀电源，预先沉积纯铬或镍或钛或钼或纯钨作为过渡层；（4）通入N2，调节Ar:N2流量比，工作气压，沉积溅射电源的电流，被沉积游标卡尺的负偏压，沉积温度，沉积时间工艺参数，制备表面的氮化铬沉积层；（5）在真空中随炉冷却至60℃以下，取出游标卡尺。
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