[发明专利]无机发光二极管的像素结构有效
申请号: | 201310567947.6 | 申请日: | 2013-11-14 |
公开(公告)号: | CN103560140A | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
发明(设计)人: | 范纯彬;黄郁升;陈盈颖;郭庭玮;陈国祥 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张艳杰;张浴月 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种无机发光二极管的像素结构。第一电源线设置于两相邻的第一子像素与第二子像素之间,且第一子像素与第二子像素与同一条第一电源线电性连接。此外,第一参考电位线设置于第一子像素相对于第二子像素的另一侧,且第二参考电位线设置于第二子像素相对于第一子像素的另一侧。第一子像素与第二子像素会具有实质上相同的长度。本发明提供的无机发光二极管的像素结构,可以提升出光的均匀性。 | ||
搜索关键词: | 无机 发光二极管 像素 结构 | ||
【主权项】:
一种无机发光二极管的像素结构,包括:多个子像素定义于一绝缘基板上,所述多个子像素排列于同一列或同一行上,且所述多个子像素至少包含一第一子像素以及一与该第一子像素相邻接的第二子像素,其中,该第一子像素至少具有一第一边界、一第二边界、一与该第一边界以及该第二边界连接的第三边界,该第二子像素至少具有一第四边界、一第五边界、一与该第四边界以及该第五边界连接的第六边界,且该第一子像素与该第二子像素相接之处具有一共用边界,连接该第一边界、该第二边界、该第四边界与该第五边界;一第一晶体管组,设置于该第一子像素中,且该第一晶体管组至少包含一第一切换元件、一第二切换元件与一第一驱动元件;一第二晶体管组,设置于该第二子像素中,且该第二晶体管组至少包含一第三切换元件、一第四切换元件与一第二驱动元件;至少一第一参考电位线,设置于该绝缘基板上,并位于该第一子像素的该第三边界处,其中,该第一参考电位线电性连接于该第二切换元件的一第一端;至少一第二参考电位线,设置于该绝缘基板上,并位于该第二子像素的该第六边界处,其中,该第二参考电位线电性连接于该第四切换元件的一第一端;至少一数据线,设置于该绝缘基板上,且电性连接该第一切换元件的一第一端与该第三切换元件的一第一端;至少一扫描线,设置于该绝缘基板上,且电性连接该第一切换元件的一控制端与该第三切换元件的一控制端;一第一像素电极,设置于该第一子像素中,且电性连接于该第一驱动元件的一第一端;一第二像素电极,设置于该第二子像素中,且电性连接于该第二驱动元件的一第一端;至少两个第一无机发光二极管,设置于该第一子像素的该第一像素电极上,各该第一无机发光二极管至少包含一第一电极、一第二电极、一夹设于该第一电极与该第二电极间的一第一P‑N二极管层;至少两个第二无机发光二极管,设置于该第二子像素的该第二像素电极上,各该第二无机发光二极管至少包含一第三电极、一第四电极、一夹设于该第三电极与该第四电极间的一第二P‑N二极管层;至少一第一电源线,设置于该绝缘基板上,并位于该共用边界处,其中,该第一电源线电性连接各该第一无机发光二极管的该第二电极与各该第二无机发光二极管的该第四电极;以及至少一第二电源线,设置于该绝缘基板上,且电性连接该第一驱动元件的一第二端与该第二驱动元件的一第二端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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