[发明专利]一种集成肖特基分裂栅型功率MOS器件的制造方法无效
| 申请号： | 201310563620.1 | 申请日： | 2013-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN103594377A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 王颖;胡海帆;曹菲;刘云涛 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成肖特基分裂栅型功率MOS器件的制造方法，利用6次掩模版完成了一种集成肖特基分裂栅型功率MOS器件的制作。对比传统的分裂栅型沟槽功率MOS器件制造工艺，本发明提出的集成肖特基分裂栅型功率MOS器件的制造方法，能够减少工艺步骤及工艺难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 肖特基 分裂 功率 mos 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种集成肖特基分裂栅型功率金属氧化物半导体MOS器件的制造方法，其特征在于，包括：使用第一掩膜版对硅片进行沟槽刻蚀；使用第二掩膜版对所述硅片进行P‑离子注入和P+离子注入，其中，所述第二掩膜版进行P‑离子注入时掩盖住的区域下方为肖特基接触区域；使用第三掩膜版对所述硅片进行N+离子注入，其中，N+离子注入区域和P+离子注入区域沿台面长度方向交替排列；使用第四掩膜版在所述硅片上制作电极接触孔；使用第五掩膜版在所述硅片上进行金属分离刻蚀；使用第六掩膜版在所述硅片上进行光刻压焊点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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