[发明专利]提升多晶硅层均一性的多晶硅制作方法有效

申请号：	201310561925.9	申请日：	2013-11-12
公开（公告）号：	CN103560076A	公开（公告）日：	2014-02-05
发明（设计）人：	张翔	申请（专利权）人：	深圳市华星光电技术有限公司
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01L21/66;H01L21/20
代理公司：	深圳市德力知识产权代理事务所 44265	代理人：	林才桂
地址：	518132 广东***	国省代码：	广东;44
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摘要：	本发明提供一种提升多晶硅层均一性的多晶硅制作方法，包括：步骤1、在基板（10）上形成非晶硅层（30）；步骤2、将非晶硅层（30）划分为数个区域，测量非晶硅层（30）各区域的膜厚；步骤3、将各区域的测量膜厚分别与预定膜厚进行比较，对于测量膜厚大于预定膜厚的区域定义为膜厚偏厚区域（42），并进行标示；步骤4、对膜厚偏厚区域（42）的非晶硅层（30）喷洒蚀刻液进行清洗，以蚀刻掉膜厚偏厚区域（42）处的部分非晶硅层（30），同时对其它区域喷洒纯水进行清洗，进而使得非晶硅层（30’）各区域的膜厚趋于一致；步骤5、对清洗后的非晶硅层（30’）进行激光退火处理，以使非晶硅层（30’）结晶形成多晶硅层（60）。
搜索关键词：	提升多晶均一制作方法
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【主权项】：

一种提升多晶硅层均一性的多晶硅制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、在基板（10）上形成非晶硅层（30）；步骤2、将非晶硅层（30）划分为数个区域，测量非晶硅层（30）各区域的膜厚；步骤3、将各区域的测量膜厚分别与预定膜厚进行比较，对于测量膜厚大于预定膜厚的区域定义为膜厚偏厚区域（42），并进行标示；步骤4、对膜厚偏厚区域（42）的非晶硅层（30）喷洒蚀刻液进行清洗，以蚀刻掉膜厚偏厚区域（42）处的部分非晶硅层（30），同时对其它区域喷洒纯水进行清洗，进而使得非晶硅层（30’）各区域的膜厚趋于一致；步骤5、对清洗后的非晶硅层（30’）进行激光退火处理，以使非晶硅层（30’）结晶形成多晶硅层（60）。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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