[发明专利]一种绕线贴片电感电极面的真空多弧磁控镀膜方法

摘要

本发明公开了一种绕线贴片电感电极面的真空多弧磁控镀膜方法，该方法包括一下步骤：步骤一、将绕线贴片电感的磁蕊采用夹具进行封装，露出待镀膜的电极面；步骤二、将封装好的磁蕊送入真空室抽至高真空，向真空室内充入氩气，进行离子轰击清洗；步骤三、清洗后的磁蕊进入第一镀膜室镀铬；步骤四、再进入第二镀膜室镀铬；步骤五、再进入第三镀膜室镀镍铬合金；步骤六、镀镍铬合金完毕后进入第四镀膜室镀镍；步骤七、镀镍完毕后再进入第七镀膜室镀银；步骤八、镀银完毕后，进入真空缓冲室进行冷却，直至温度降到100℃以下充入空气出炉，电极面镀制完毕。本发明的镀膜方法不但对环境没有任何的污染，而且镀膜后的膜层用锡焊接后的牢固度大。

主权项

一种绕线贴片电感电极面的真空多弧磁控镀膜方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、将绕线贴片电感的磁蕊采用夹具进行封装，露出待镀膜的电极面；步骤二、将封装好的磁蕊送入真空室，真空室的真空度不小于5.0×10‑3帕，同时室内温度加至260～300℃后，向真空室内充入氩气，使真空室内压力保持在2帕，进行离子轰击清洗6～10分钟；步骤三、清洗后的磁蕊进入第一镀膜室，充入氩气使第一镀膜室的真空度保持在3.0～5.0×10‑1帕，开启偏压，电压调至150V～250V，占空比调至30％～80％，再开启多弧靶镀铬，靶电流为50A～80A，镀膜时间为4～10分钟；步骤四、再进入第二镀膜室，充入氩气使第二镀膜室的真空度保持在3.0～5.0×10‑1帕，开启偏压，电压调至80V～150V，占空比调至30％～60％，开启多弧靶镀铬，靶电流为50A～80A，镀膜时间为4～10分钟；步骤五、再进入第三镀膜室，充入氩气使第三镀膜室的真空度保持在3.0～5.0×10‑1帕，开启偏压，电压调至80V～150V，占空比调至30％～60％，开启直流磁控靶镀镍铬合金，镍铬合金的镍铬比例为8∶2，靶电流为25A～40A，镀膜时间为4～10分钟；步骤六、镀镍铬合金完毕后进入第四镀膜室，充入氩气使第四镀膜室的真空度保持在3.0～5.0×10‑1帕，开启偏压，电压调至80V～150V，占空比调至30％～60％，开启直流磁控靶镀镍，靶电流为25A～40A，镀膜时间为4～10分钟；步骤七、镀镍完毕后再进入第七镀膜室，充入氩气使第七镀膜室的真空度保持在3.0～5.0×10‑1帕，开启偏压，电压调至80V～150V，占空比调至30％～60％，开启直流磁控靶镀纯银，靶电流为1～3A，镀膜时间为4～10分钟；步骤八、镀银完毕后，进入真空缓冲室进行冷却，直至温度降到100℃以下充入空气出炉，电极面镀制完毕。