[发明专利]外延基板及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法无效
| 申请号： | 201310545985.1 | 申请日： | 2010-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN103606817A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 善积祐介;盐谷阳平;京野孝史;住友隆道;嵯峨宣弘;足立真宽;住吉和英;德山慎司;高木慎平;池上隆俊;上野昌纪;片山浩二 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 权太白;谢丽娜 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种外延基板及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法。III族氮化物半导体激光器元件在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有能实现低阈值电流的激光谐振器且具有能提高振荡合格率的构造。成为激光谐振器的第1及第2切断面(27、29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)中，激光波导路在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸，因此可利用能实现低阈值电流的能带跃迁的发光。第1及第2切断面(27、29)自第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。切断面(27、29)并非通过干式蚀刻形成，且与c面、m面或者a面等目前为止的解理面不同。波导路向量(LGV)与投影分量(VCP)所成的偏移角(AV)可在-0.5度以上+0.5度以下的范围。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 制作 iii 氮化物 半导体激光器 元件 方法 | ||
【主权项】：
一种外延基板，其用于III族氮化物半导体激光器元件，其包括：基板，其具有由六方晶系III族氮化物半导体构成的半极性主面；以及半导体积层，其设于上述基板的上述半极性主面上，上述半导体积层包含用于激光器构造体的半导体区域，上述半导体区域包括由第1导电型氮化镓系半导体构成的第1包覆层、由第2导电型氮化镓系半导体构成的第2包覆层、及设于上述第1包覆层与上述第2包覆层之间的活性层，上述第1包覆层、上述第2包覆层及上述活性层沿上述半极性主面的法线轴排列，上述活性层包含氮化镓系半导体层，上述基板的上述六方晶系III族氮化物半导体的c轴，相对于上述法线轴向上述六方晶系III族氮化物半导体的m轴方向以角度ALPHA倾斜，上述法线轴与上述六方晶系III族氮化物半导体的c轴所成的角度ALPHA为45度以上80度以下或100度以上135度以下的范围，上述半导体积层包含沿表示上述六方晶系III族氮化物半导体的a轴方向的基准轴延伸的构造物。
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