[发明专利]层间导体结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201310542780.8 申请日: 2013-11-05
公开(公告)号: CN104051330A 公开(公告)日: 2014-09-17
发明(设计)人: 陈士弘 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L23/522;H01L23/528;H01L27/115;G11C16/04
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种层间导体结构及其制造方法。一衬垫叠层耦接于个别电路的有源层,以形成内连导体结构。呈多列的层问导体在X方向上延伸,并在叠层中与对应的衬垫接触于着陆区。相邻的列的层问导体问在Y方向上彼此分隔,该Y方向垂直于X方向。同一列的层问导体在X方向上具有第一间距。相邻的排的层问导体之间在X方向上偏移,偏移量小于第一间距。内连导体形成于层问导体之上并与之接触。内连导体在Y方向上延伸并具有第二间距,其中第二间距小于第一间距。
搜索关键词: 导体 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
一种内连导体结构的制造方法,包括:形成一衬垫叠层,该衬垫叠层与一电路的个别的有源层耦接;形成多个层间导体,这些层间导体在一X方向上延伸排列呈多列,且与该衬垫叠层中的衬垫对应的多个着陆区接触,相邻的列在一Y方向上彼此分开,该Y方向垂直于该X方向,在同一列的这些层间导体间在该X方向上具有一第一间距,且在相邻的列的这些层间导体间在该X方向上的偏移量,少于该第一间距;以及形成多个内连导体于这些层间导体上并与这些层间导体接触,这些内连导体在该Y方向上延伸且具有一第二间距,该第二间距小于该第一间距。
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