[发明专利]层间导体结构及其制造方法有效
申请号: | 201310542780.8 | 申请日: | 2013-11-05 |
公开(公告)号: | CN104051330A | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
发明(设计)人: | 陈士弘 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/522;H01L23/528;H01L27/115;G11C16/04 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种层间导体结构及其制造方法。一衬垫叠层耦接于个别电路的有源层,以形成内连导体结构。呈多列的层问导体在X方向上延伸,并在叠层中与对应的衬垫接触于着陆区。相邻的列的层问导体问在Y方向上彼此分隔,该Y方向垂直于X方向。同一列的层问导体在X方向上具有第一间距。相邻的排的层问导体之间在X方向上偏移,偏移量小于第一间距。内连导体形成于层问导体之上并与之接触。内连导体在Y方向上延伸并具有第二间距,其中第二间距小于第一间距。 | ||
搜索关键词: | 导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种内连导体结构的制造方法,包括:形成一衬垫叠层,该衬垫叠层与一电路的个别的有源层耦接;形成多个层间导体,这些层间导体在一X方向上延伸排列呈多列,且与该衬垫叠层中的衬垫对应的多个着陆区接触,相邻的列在一Y方向上彼此分开,该Y方向垂直于该X方向,在同一列的这些层间导体间在该X方向上具有一第一间距,且在相邻的列的这些层间导体间在该X方向上的偏移量,少于该第一间距;以及形成多个内连导体于这些层间导体上并与这些层间导体接触,这些内连导体在该Y方向上延伸且具有一第二间距,该第二间距小于该第一间距。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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