[发明专利]非金属衬底表面制备氮掺杂石墨烯的方法无效
申请号: | 201310518327.3 | 申请日: | 2013-10-28 |
公开(公告)号: | CN103526182A | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | 鲍桥梁 | 申请(专利权)人: | 鲍桥梁 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/26 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 刘懿 |
地址: | 430000 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 一种非金属衬底表面制备氮掺杂石墨烯的方法,首先清洗非金属衬底的表面,然后将其放入管式CVD系统中的高温区部分;接着将炉温在15-30分钟内升高到600-1000℃之间,并该过程中通入空气,并在上述温度范围内维持20-60分钟,随后缓慢降低炉温,使其达到室温;然后将炉内空气排除干净;接着在以氢气和高纯氩气为载气的情况下,于40-120分钟的时间内将炉温升高到1050-1500℃之间,并将非金属衬底在该温度下保持10-30分钟;然后通入含碳、氮源的气体进行氮掺杂石墨烯的生长,并在该温度下维持30-300分钟;最后停止加热,将炉温缓慢降低到室温。该方法避免了后续转移过程中杂质的引入。 | ||
搜索关键词: | 非金属 衬底 表面 制备 掺杂 石墨 方法 | ||
【主权项】:
一种非金属衬底表面制备氮掺杂石墨烯的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1)清洗具有一定表面形貌特征的非金属衬底的表面;步骤2)在所述非金属衬底表面制备氮掺杂石墨烯膜,主要包括以下步骤:201)将所述的清洗干净的非金属衬底放入管式CVD系统中的高温区部分;202)将炉温在15‑30分钟内升高到600‑1000℃之间,并该过程中通入空气,并在炉温达到所设定600‑1000℃温度之间后维持20‑60分钟,随后缓慢降低炉温,使其达到室温;203)将炉内空气排除干净;204)在以氢气和高纯氩气为载气的情况下,于40‑120分钟的时间内将炉温升高到1050‑1500℃之间,并将所述非金属衬底在该温度下保持10‑30分钟;205)通入含碳、氮源的气体进行氮掺杂石墨烯的生长,并在1050‑1500℃温度下维持30‑300分钟;206)停止加热,将炉温缓慢降低到室温。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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