[发明专利]非金属衬底表面制备氮掺杂石墨烯的方法无效

专利信息
申请号: 201310518327.3 申请日: 2013-10-28
公开(公告)号: CN103526182A 公开(公告)日: 2014-01-22
发明(设计)人: 鲍桥梁 申请(专利权)人: 鲍桥梁
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44;C23C16/26
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 刘懿
地址: 430000 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 一种非金属衬底表面制备氮掺杂石墨烯的方法,首先清洗非金属衬底的表面,然后将其放入管式CVD系统中的高温区部分;接着将炉温在15-30分钟内升高到600-1000℃之间,并该过程中通入空气,并在上述温度范围内维持20-60分钟,随后缓慢降低炉温,使其达到室温;然后将炉内空气排除干净;接着在以氢气和高纯氩气为载气的情况下,于40-120分钟的时间内将炉温升高到1050-1500℃之间,并将非金属衬底在该温度下保持10-30分钟;然后通入含碳、氮源的气体进行氮掺杂石墨烯的生长,并在该温度下维持30-300分钟;最后停止加热,将炉温缓慢降低到室温。该方法避免了后续转移过程中杂质的引入。
搜索关键词: 非金属 衬底 表面 制备 掺杂 石墨 方法
【主权项】:
一种非金属衬底表面制备氮掺杂石墨烯的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1)清洗具有一定表面形貌特征的非金属衬底的表面;步骤2)在所述非金属衬底表面制备氮掺杂石墨烯膜,主要包括以下步骤:201)将所述的清洗干净的非金属衬底放入管式CVD系统中的高温区部分;202)将炉温在15‑30分钟内升高到600‑1000℃之间,并该过程中通入空气,并在炉温达到所设定600‑1000℃温度之间后维持20‑60分钟,随后缓慢降低炉温,使其达到室温;203)将炉内空气排除干净;204)在以氢气和高纯氩气为载气的情况下,于40‑120分钟的时间内将炉温升高到1050‑1500℃之间,并将所述非金属衬底在该温度下保持10‑30分钟;205)通入含碳、氮源的气体进行氮掺杂石墨烯的生长,并在1050‑1500℃温度下维持30‑300分钟;206)停止加热,将炉温缓慢降低到室温。
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