[发明专利]一种成分可调的三元(Sb1-xBix)2Se3纳米线的制备方法有效
| 申请号： | 201310492129.4 | 申请日： | 2013-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN103540999B | 公开（公告）日： | 2016-04-27 |
| 发明（设计）人： | 程国胜;黄荣;孔涛;卫芬芬;张杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/46;C30B29/62;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种成分可调的(Sb1-xBix)2Se3纳米线的制备方法，包括：（1）提供表面附着胶体金颗粒的基底以及主要由Sb2Se3粉末和Bi2Se3粉末混合形成的生长源；（2）将所述基底和生长源均置于化学气相沉积设备的反应区域中，且使所述基底设置于所述生长源下游，而后将所述反应区域密封；（3）排除所述反应区域内的氧气，再输入稀有气体作为载气，并将所述反应区域的气压均维持在设定范围，且调整反应温度至设定值，直至反应完成，而后冷却至室温，获得(Sb1-xBix)2Se3纳米线，其中x=0～0.88。本发明利用简单的化学气相沉积的方法，通过改变生长源的比例或者生长温度，得到了成分可调、高质量的单晶(Sb1-xBix)2Se3纳米线，其可作为一种具有良好光电响应性能的新光电探测材料广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 成分 可调 三元 sb sub bi se 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种成分可调的(Sb1‑xBix)2Se3纳米线的制备方法，其特征在于，包括：(1)提供表面附着胶体金颗粒的基底以及主要由质量比为1:0～7的Sb2Se3粉末和Bi2Se3粉末混合形成的生长源，其中Bi2Se3粉末的用量大于0；(2)将所述基底和生长源均置于化学气相沉积设备的反应区域中，且使所述基底设置于所述生长源下游，而后将所述反应区域密封；(3)排除所述反应区域内的氧气，再输入稀有气体作为载气，载气流量为150～300sccm，并将所述反应区域的气压均维持在8～15Torr，且调整反应温度至360～450℃，经6～24h反应完成，而后冷却至室温，获得(Sb1‑xBix)2Se3纳米线，其中，x大于0而小于或等于0.88。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，未经中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310492129.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
