[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 201310468513.0 | 申请日: | 2009-08-28 |
公开(公告)号: | CN103545342A | 公开(公告)日: | 2014-01-29 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;秋元健吾;小森茂树;鱼地秀贵;和田理人;千叶阳子 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张金金;王忠忠 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本公开涉及半导体装置。一种显示装置包括其中像素以矩阵状排列的像素部,该像素包括:具有含氧量不同的至少两种氧化物半导体层的组合并在与栅电极层重叠的成为沟道形成区的半导体层上具有沟道保护层的反交错型薄膜晶体管;以及与该反交错型薄膜晶体管电连接的像素电极层。在该显示装置中的该像素部的周边,设置有包括由与所述像素电极层相同材料而形成的导电层的焊盘部。并且,所述导电层电连接到形成在对置衬底上的共同电极层。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,包括:第一导电层;第二导电层;第三导电层;第四导电层;第五导电层;第六导电层;第七导电层;第一绝缘层;第二绝缘层;第三绝缘层;以及氧化物半导体层,其中所述第一导电层和所述第二导电层通过蚀刻第一导电膜的步骤来形成,所述第一导电层具有作为晶体管的栅电极的功能,所述第一绝缘层设置在所述第一导电层和所述第二导电层之上,所述氧化物半导体层设置在所述第一绝缘层之上,所述氧化物半导体层包含隔着所述第一绝缘层与所述第一导电层重叠的区域,所述氧化物半导体层包含所述晶体管的沟道形成区,所述第二绝缘层设置在所述氧化物半导体层之上,所述第三导电层和所述第四导电层设置在所述第二绝缘层之上,所述第三导电层、所述第四导电层和所述第五导电层通过蚀刻第二导电膜的步骤来形成,所述第三导电层和所述第四导电层的其中之一具有作为所述晶体管的源电极和漏电极的其中之一的功能,所述第三导电层和所述第四导电层的其中另一个具有作为所述晶体管的源电极和漏电极的其中另一个的功能,所述第三绝缘层设置在所述第三导电层、所述第四导电层和所述第五导电层之上,所述第六导电层和所述第七导电层设置在所述第三绝缘层之上,所述第六导电层和所述第七导电层通过蚀刻第三导电膜的步骤来形成,所述第三导电膜具有透光性质,所述第六导电层电连接至所述第四导电层,所述第六导电层具有作为像素电极的功能,所述第七导电层电连接至所述第五导电层,所述第七导电层电连接至柔性印刷电路,所述第二导电层包含隔着所述第一绝缘层与所述第五导电层重叠的区域,并且所述第二导电层的电位是浮置的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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