[发明专利]三维半导体装置及其三维逻辑阵列结构

摘要

本发明公开了一种三维半导体装置及其三维逻辑阵列结构。三维半导体装置，包括一阵列结构、一周边线路结构及一三维逻辑阵列结构。阵列结构具有Y个第一接点。这些Y个第一接点位于阵列结构的一侧。Y是介于MN‑1至MN之间。Y、M及N为自然数。M大于或等于2。三维逻辑阵列结构包括N组栅极电极、一输入电极及Y个输出电极。各组栅极电极具有M个栅极电极。这些Y个输出电极连接Y个接点。这些M·N个栅极电极及输入电极连接到周边线路结构。

主权项

一种三维半导体装置，包括：一阵列结构，用以储存数据，该阵列结构具有Y个第一接点，这些Y个第一接点位于该阵列结构的一第一侧，其中Y是介于MN‑1至MN之间，Y、M及N为自然数，且M大于或等于2；一第一周边线路结构；以及一第一三维逻辑阵列结构，设置于该阵列结构与该第一周边线路结构之间，该第一三维逻辑阵列结构包括：N组第一栅极电极，其中各组第一栅极电极具有M个第一栅极电极；一第一输入电极；及Y个第一输出电极，其中这些Y个第一输出电极连接这些Y个第一接点，这些M·N个第一栅极电极及第一输入电极连接到该第一周边线路结构。