[发明专利]半导体存储控制单元、集成电路及集成电路的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体存储控制单元、集成电路及集成电路的制造方法，涉及半导体存储技术领域。本发明的半导体存储控制单元包括位于半导体衬底上的开关晶体管与电阻存储单元，开关晶体管的源极连接端子和栅极连接端子位于半导体衬底的第一表面，漏极连接端子与电阻存储单元位于半导体衬底的第二表面，且电阻存储单元的第一端极与漏极连接端子相连。该半导体存储控制单元可有效缩小半导体存储控制单元的面积，并可简化半导体存储控制单元的制造工艺。本发明的集成电路使用了上述的半导体存储控制单元，具有上述优点。本发明的集成电路的制造方法，用于制造上述集成电路，同样具有上述优点。

主权项

1.一种半导体存储控制单元，其特征在于，包括位于半导体衬底上的开关晶体管与电阻存储单元，其中，所述开关晶体管包括位于所述半导体衬底的第一表面上的栅极、位于所述半导体衬底内的源极和漏极，还包括位于所述半导体衬底的所述第一表面的用于连接所述源极的源极连接端子和用于连接所述栅极的栅极连接端子，以及位于所述半导体衬底的与所述第一表面相对的第二表面上用于连接延伸至所述第二表面的所述漏极的漏极连接端子；所述电阻存储单元位于所述半导体衬底的所述第二表面一侧，并且所述电阻存储单元的第一端极通过所述漏极连接端子与所述开关晶体管的所述漏极相连接。