[发明专利]一种鳍形场效晶体管结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201310450978.3 | 申请日： | 2013-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN104517839A | 公开（公告）日： | 2015-04-15 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种鳍形场效晶体管结构及其制作方法，所述制作方法包括：1）于半导体衬底表面形成具有间隔排列的刻蚀窗口的掩膜层；2）藉由所述刻蚀窗口于所述半导体衬底中刻蚀出至少一个顶部截面为矩形、底部截面为梯形的鳍形半导体结构；3）去除所述掩膜层，并于所述鳍形半导体结构表面形成介质层；4）于所述鳍形半导体结构表面沉积高应力SiN层，使所述鳍形半导体结构产生应力；5）去除所述高应力SiN层。本发明通过两次刻蚀于硅衬底中刻蚀出顶部为矩形、底部为梯形的鳍形半导体结构，并通过高应力的SiN层使所述鳍形半导体结构具有应力，可以有效提高鳍形场效晶体管的性能。本发明方法简单，与现有的CMOS工艺兼容，容易实现产业化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 鳍形场效 晶体管 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种鳍形场效晶体管结构的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1）提供半导体衬底，于所述半导体衬底表面形成具有间隔排列的刻蚀窗口的掩膜层；2）藉由所述刻蚀窗口于所述半导体衬底中刻蚀出至少一个顶部截面为矩形、底部截面为梯形的鳍形半导体结构；3）去除所述掩膜层，并于所述鳍形半导体结构表面形成介质层；4）于所述鳍形半导体结构表面沉积高应力SiN层，使所述鳍形半导体结构产生应力；5）去除所述高应力SiN层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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