[发明专利]晶片的加工方法

摘要

本发明提供一种晶片的加工方法，针对在背面形成有绝缘膜的晶片，在短时间内在适当的位置形成适当的改性层。本发明的晶片的加工方法是在背面（13）形成有绝缘膜（15）的晶片（W）的加工方法，具有：绝缘膜除去工序，通过切削刀具（22）从晶片的背面沿着分割预定线（14）除去绝缘膜，形成切削槽（25）；改性层形成工序，沿着切削槽（25）照射相对于晶片具有透射性的波长的激光光线，在晶片的内部形成有改性层（35）；以及分割工序，通过磨削动作对改性层（35）施加外力，以改性层为分割起点分割成一个个器件芯片，切削槽（25）的槽底（26）是这样的结构：平坦且表面粗糙度Ra在0.1μm以下，具有激光点直径以上的宽度。

主权项

一种晶片的加工方法，是在正面在由分割预定线划分出的多个区域形成有器件且在背面形成有绝缘膜的晶片的加工方法，上述晶片的加工方法的特征在于，具有：绝缘膜除去工序，从晶片的背面侧沿着上述分割预定线利用切削刀具形成具有平坦的槽底的切削槽，沿着上述分割预定线除去绝缘膜；改性层形成工序，在实施了上述绝缘膜除去工序后，从晶片的背面以上述切削槽为基准完成校准，将对于晶片具有透射性的波长的激光光线的聚光点从上述切削槽定位到晶片正面附近的内部，并沿着上述切削槽进行照射，在晶片正面附近的内部形成改性层；以及分割工序，在实施了上述改性层形成工序后，从晶片的背面利用磨削构件来进行磨削，薄化为成品厚度，并且通过磨削动作，以上述改性层为起点沿着上述分割预定线分割晶片，上述切削槽中，上述平坦的槽底的表面粗糙度是0.1μm以下，上述平坦的槽底的宽度在形成于上述槽底的激光点的直径以上。