[发明专利]电荷俘获型存储单元的读取方法有效
| 申请号： | 201310422456.2 | 申请日： | 2013-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN103531241B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 陆虹;孙轶君;王佳宁;景欣;孙佳佳;袁方 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 110032 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提出一种电荷俘获型存储单元的读取方法，包括为电荷俘获型存储单元中的待测晶体管提供一个对应的补偿晶体管，补偿晶体管与待测晶体管的参数相同，将补偿晶体管的栅极、源极和衬底接地，并将补偿晶体管的漏极分别连接到一个电流源和电流‑电压转换电路的输入端，其中电流源为补偿晶体管提供恒定电流，电流‑电压转换电路的输出端与待测晶体管的源极相连；在待测晶体管的字线上施加读取电压，并且从待测晶体管的位线读出读取电流，将读取电流与参考电流作比较，随后通过灵敏放大器转化为读取到的存储信息。本发明克服了误读现象，提高了电荷俘获型存储单元在辐射环境中的读取准确率。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷 俘获 存储 单元 读取 方法 | ||
【主权项】：
一种电荷俘获型存储单元的读取方法，其特征在于，包括以下步骤：为所述电荷俘获型存储单元中的待测晶体管提供一个对应的补偿晶体管，其中，所述补偿晶体管与所述待测晶体管的参数相同，将所述补偿晶体管的栅极、源极和衬底接地，并将所述补偿晶体管的漏极分别连接到一个电流源和电流‑电压转换电路的输入端，其中所述电流源为所述补偿晶体管提供恒定电流，所述电流‑电压转换电路的输出端与所述待测晶体管的源极相连；在所述待测晶体管的字线上施加读取电压，并且从所述待测晶体管的位线读出读取电流，将所述读取电流与参考电流作比较，随后通过灵敏放大器转化为读取到的存储信息。
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