[发明专利]聚偏氟乙烯薄膜的极化方法无效
| 申请号： | 201310407026.3 | 申请日： | 2013-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN104425705A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 龚伶 | 申请（专利权）人： | 龚伶 |
| 主分类号： | H01L41/45 | 分类号： | H01L41/45 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了聚偏氟乙烯薄膜的极化方法，包括以下步骤：步骤一、将聚偏氟乙烯薄膜的上下平面均蒸镀厚度为90～100nm的银作为金属电极；步骤二、向加热器内倒入硅油，并将镀有金属电极的聚偏氟乙烯薄膜放入加热器的硅油中；步骤三、将加热器内硅油温度调节至80～90℃，并向镀有金属电极的聚偏氟乙烯施加电压，其中，施加的电压在镀有金属电极的聚偏氟乙烯薄膜上为130～140MV/m，持续时间为50～60min；步骤四、取出加热器内的聚偏氟乙烯薄膜在常温下冷却得到极化后的聚偏氟乙烯薄膜。采用本发明极化后的聚偏氟乙烯薄膜，压电性、铁电性及热释电特性好，膜击穿率低，进而能聚偏氟乙烯薄膜的制造成本，便于推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 聚偏氟 乙烯 薄膜 极化 方法 | ||
【主权项】：
聚偏氟乙烯薄膜的极化方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、将聚偏氟乙烯薄膜的上下平面均蒸镀厚度为90～100nm的银作为金属电极；步骤二、向加热器内倒入硅油，并将镀有金属电极的聚偏氟乙烯薄膜放入加热器的硅油中；步骤三、将加热器内硅油温度调节至80～90℃，并向镀有金属电极的聚偏氟乙烯施加电压，其中，施加的电压在镀有金属电极的聚偏氟乙烯薄膜上为130～140MV/m，持续时间为50～60min；步骤四、取出加热器内的聚偏氟乙烯薄膜在常温下冷却得到极化后的聚偏氟乙烯薄膜。
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