[发明专利]一种阻挡层及其制备方法、薄膜晶体管、阵列基板有效
| 申请号： | 201310397184.5 | 申请日： | 2013-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN103489900A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 刘翔 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/43;H01L21/285;H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种阻挡层及其制备方法、薄膜晶体管、阵列基板，涉及显示技术领域，当所述阻挡层用于薄膜晶体管时，能够阻挡Cu原子向其他层的扩散，从而减小了对薄膜晶体管性能的损害。所述一种阻挡层包括至少两层导电薄膜；其中，任一层所述导电薄膜中的晶界与相接触的另一层所述导电薄膜中的晶界相互错位排列。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阻挡 及其 制备 方法 薄膜晶体管 阵列 | ||
【主权项】：
一种阻挡层，其特征在于，包括至少两层导电薄膜；其中，任一层所述导电薄膜中的晶界与相接触的另一层所述导电薄膜中的晶界相互错位排列。
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