[发明专利]一种用于SRAM亚阈值地址解码器的驱动电路无效
| 申请号： | 201310395809.4 | 申请日： | 2013-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN103456353A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 李冰;尚壮壮;赵霞;王刚;刘勇;董乾 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 许方 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于SRAM亚阈值地址解码器的驱动电路，用于将地址解码器解码操作后的解码信号经过二次反向后传输至SRAM单元，包括两个反相器，所述两个反相器各包括一个PMOS晶体管和第一NMOS晶体管；本发明所设计的一种用于SRAM亚阈值地址解码器的驱动电路较之传统驱动电路在上升时间方面有明显减小，在下降时间方面相仿，本发明提出的驱动电路有更好的驱动效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 sram 阈值 地址 解码器 驱动 电路 | ||
【主权项】：
一种用于SRAM亚阈值地址解码器的驱动电路，用于将地址解码器解码操作后的解码信号经过二次反向后传输至SRAM单元，其特征在于，包括两个反相器，所述两个反相器各包括一个PMOS晶体管和第一NMOS晶体管，其中：地址解码器将解码信号传输至第一反相器中的第一PMOS晶体管的栅极和第一NMOS晶体管的栅极，所述第一PMOS晶体管的源端接第一电源电压，所述第一NMOS晶体管的源端接地，所述第一PMOS晶体管的漏端和第一NMOS晶体管的漏端用于共同输出第一逻辑电平反向信号；所述第二反相器中第二PMOS晶体管的栅极和第二NMOS晶体管的栅极用于共同输入上述第一逻辑电平反向信号，所述第二PMOS晶体管的源端接第二电源电压，所述第二电源电压高于第一电源电压，第二NMOS晶体管的源端接地，所述第二PMOS晶体管的漏端和第二NMOS晶体管的漏端用于共同输出第二逻辑电平反向信号至SRAM单元的字线端；所述SRAM单元根据接收到的第二逻辑电平反向信号进行相应的操作。
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