[发明专利]序列式NAND型闪存、闪存装置及其操作方法

摘要

序列式NAND型闪存、闪存装置及其操作方法，其选自于8‑pin WSON，24‑pin FBGA，8‑pin SOIC以及16‑pin SOIC，其中封装的至少一些压点为一SPI接口的主动式压点；一NAND型闪存阵列，包含在封装中；分页缓冲器，包含在封装中以及耦接至NAND型闪存阵列；以及控制逻辑，包含在封装中以及耦接NAND型闪存阵列和分页缓冲器，以对应一读取指令提供一数据，其中数据通过分页缓冲器从NAND型闪存阵列输出至SPI接口的主动式压点的至少一压点。通过对存储器的程序代码映射操作，以致能连续读取而没有延迟。

主权项

一种序列式NAND型闪存，其特征在于，所述序列式NAND型闪存包括：一封装，从一8‑pin WSON封装，一24‑pin FBGA封装，一8‑pin SOIC封装以及一16‑pin SOIC封装组成的一群体中选出，其中该封装的至少一些压点为一SPI接口的主动式压点；一NAND型闪存阵列，包含在该封装中；一分页缓冲器，包含在该封装中以及耦接至该NAND型闪存阵列；以及一控制逻辑，包含在该封装中以及耦接该NAND型闪存阵列和该分页缓冲器，以对应一读取指令提供一数据，其中该数据通过该分页缓冲器从该NAND型闪存输出至该SPI接口的主动式压点的至少一压点；其中，该控制逻辑还对应该读取指令提供的一连续数据输出，其中该连续数据输出跨过分页边界且来自逻辑上邻近的存储器位置输出而不用等待间隔。