[发明专利]凸点的制造方法有效
| 申请号： | 201310391143.5 | 申请日： | 2013-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN103413770A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 施建根;吴谦国;陈文军 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种凸点的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有焊垫层和钝化层，所述焊垫层镶嵌于钝化层中，且通过钝化层上的第一开口暴露出焊垫层；在所述焊垫层和所述钝化层上依次形成第一掩膜层和第二掩膜层；刻蚀所述第二掩膜层和第一掩膜层至露出焊垫层，形成第二开口，所述第二开口位于第一掩膜层内的部分为第一子开口，位于第二掩膜层内的部分为第二子开口，第一子开口面积大于第二子开口面积；在所述第二开口内依次形成金属柱和焊料层；去除第二掩膜层和第一掩膜层；对所述焊料层进行回流焊工艺。本发明所形成芯片封装结构的可靠性高、耐用好。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种凸点的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有焊垫层和钝化层，所述焊垫层镶嵌于钝化层中，且通过钝化层上的第一开口暴露出焊垫层；在所述焊垫层和所述钝化层上依次形成第一掩膜层和第二掩膜层；对所述第二掩膜层和第一掩膜层进行处理，形成露出焊垫层表面的第二开口，所述第二开口位于第一掩膜层内的部分为第一子开口，位于第二掩膜层内的部分为第二子开口，第一子开口水平投影面积大于第二子开口水平投影面积；在所述第二开口内依次形成金属柱和焊料层；去除第二掩膜层和第一掩膜层；对所述焊料层进行回流焊工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
