[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201310383351.0 | 申请日： | 2013-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN104425694A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 林厚德;叶辅湘;张超雄;陈滨全;陈隆欣 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/60 | 分类号： | H01L33/60;H01L25/16 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人： | 叶小勤 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种发光二极管封装结构，其包括基板以及设置于该基板上的发光二极管芯片和齐纳二极管。所述齐纳二极管表面还形成有一反射层。因为齐纳二极管的表面通过点胶方式覆盖一层反射层，该反射层可以对发光二极管芯发出的光线产生反射作用，所以可以大大减少齐纳二极管对发光二极管芯片所发出的光线的吸收，从而可以提高发光二极管封装结构的出光亮度。本发明还提供一种发光二极管封装结构的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管封装结构，其包括基板以及设置于该基板上的发光二极管芯片和齐纳二极管，其特征在于：所述齐纳二极管表面还形成有一反射层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司，未经展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310383351.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有电子阻挡层和空穴传输层的有机光敏器件
- 下一篇：发光二极管
