[发明专利]带有Al过渡层的低摩擦系数SiC-Al薄膜材料的沉积方法有效
| 申请号： | 201310375272.5 | 申请日： | 2013-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN103436842A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 郑锦华 | 申请（专利权）人： | 郑州大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/02 |
| 代理公司： | 郑州大通专利商标代理有限公司 41111 | 代理人： | 陈大通 |
| 地址： | 450001 河南省郑*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带有Al过渡层的低摩擦系数SiC-Al薄膜材料的沉积方法。调整沉积设备中的SiC靶和Al靶与基材之间的距离，将基材放置在载物台上，将沉积室内抽真空；将SiC靶和Al靶的挡板置于靶与基材之间，将Ar气导入沉积室；利用射频电源分别对SiC靶和Al靶表面进行清洗；关闭SiC靶电源，同时把Al靶的挡板撤去，使Al靶在基材上沉积过渡层；然后打开SiC靶的电源，把SiC靶的挡板撤去，使SiC靶和Al靶同时向基材溅射沉积；沉积结束后，得到带有Al中间过渡层的SiC-Al薄膜材料。利用本发明能够制备出一种具有低摩擦系数、并且与金属基材具有较高界面结合强度的SiC-Al薄膜材料。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 al 过渡 摩擦系数 sic 薄膜 材料 沉积 方法 | ||
【主权项】：
一种带有Al过渡层的低摩擦系数SiC‑Al薄膜材料的沉积方法，其特征在于，所述沉积方法包括以下步骤：A、首先调整物理气相沉积设备中的SiC靶和Al靶与基材之间的距离，SiC靶与基材之间的距离为80mm，Al靶与基材之间的距离为380mm；然后在载物台上放置相应的基材，利用与沉积设备相连的抽真空装置，将沉积室内的真空压力抽至5×10‑4Pa；B、分别将SiC靶和Al靶的挡板置于靶与基材之间，打开Ar气阀，将Ar气导入沉积室，调整Ar气流量至18sccm；然后打开RF射频电源，分别对SiC靶和Al靶表面进行等离子清洗，去除SiC靶和Al靶表面的污染物和氧化层；C、关闭SiC靶电源，同时把Al靶的挡板撤去，维持Ar气流量18sccm，使Al靶对准基材，在基材上沉积Al中间过渡层；D、中间过渡层沉积完成后，将Al靶的输入功率调整至5～7w；然后打开SiC靶的RF射频电源，将SiC靶的输入功率调整至100w，把SiC靶的挡板撤去，使SiC靶和Al靶同时向基材溅射沉积；沉积结束后，同时将SiC靶和Al靶的挡板置于靶与基材之间，然后关闭SiC靶和Al靶的RF射频电源，停止Ar气的导入，得到带有Al过渡层的低摩擦系数SiC‑Al薄膜材料。
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