[发明专利]1T1R和1R阻变存储器集成结构及其实现方法

摘要

本发明公开了1T1R和1R阻变存储器集成结构及其实现方法，通过在原有的衬底晶体管的漏极和源极同时分别制作具有MIM结构的阻变存储器结构，最后分别在衬底晶体管的漏极和源极的上方依次形成第一层金属前介质、第一层栓塞、第一层金属、第二层层间介质、第二层栓塞、MIM结构层、第三层层间介质、第三层栓塞、第二层金属和钝化层，实现所述衬底晶体管与阻变存储器的串联。本发明将1T1R结构中的阻变存储器和1R结构中的阻变存储器同时制作，工艺条件完全相同，可以减少光刻次数，减少制作成本，同时将1T1R结构和1R结构集成在一起，还能方便这两种结构中阻变存储器特性的比较，有助于研究电流过冲对器件转变特性的影响。

主权项

1T1R和1R阻变存储器集成结构，其特征在于，所述集成结构包括：衬底晶体管，在所述衬底晶体管的漏极和源极的上方依次形成的第一层金属前介质、第一层栓塞、第一层金属、第二层层间介质、第二层栓塞、MIM结构层、第三层层间介质、第三层栓塞、第二层金属和钝化层。