[发明专利]一种离子迁移管的制作方法有效
申请号: | 201310348938.8 | 申请日: | 2013-08-13 |
公开(公告)号: | CN104377100B | 公开(公告)日: | 2018-01-09 |
发明(设计)人: | 时文华;缪小虎;付思齐;刘彬 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01J9/00 | 分类号: | H01J9/00 |
代理公司: | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙)44316 | 代理人: | 宋鹰武,沈祖锋 |
地址: | 215123 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种离子迁移管的制作方法,在硅基衬底表面沉积金属电极,并对硅基衬底进行刻蚀,以形成独立的一对叉指电极,再在玻璃基片上开设与叉指电极所在区域对应的孔,将玻璃基片与硅基衬底粘合,且使叉指电极所在区域内嵌于孔中,根据需要将玻璃基片进行切片,以形成离子迁移管。本发明利用硅基衬底与玻璃基片实现电绝缘的两对电极,并形成离子迁移通道,再根据实际需要将玻璃基片进行切片,形成离子迁移管,实现离子迁移管的微型化。 | ||
搜索关键词: | 一种 离子 迁移 制作方法 | ||
【主权项】:
一种离子迁移管的制作方法,其特征在于,包括下述步骤:在硅基衬底的一个表面沉积金属电极,具体为,选用N型掺杂、电阻率为0.001Ω·cm的硅基作为衬底,通过光刻工艺在硅基衬底表面形成电极图形,再在电极图形上采用金属蒸镀形成Al电极,将样品浸没与丙酮中并超声处理、剥离后在硅基衬底形成Al电极;对所述硅基衬底进行刻蚀,以形成独立的一对叉指电极,采用AZ4620光刻胶,光刻形成掩膜,采用反应离子深度刻蚀工艺将硅基衬底刻蚀穿,以形成独立的一对叉指电极,其中,采用的刻蚀气体为SF6和C4F8;提供一玻璃基片,并在玻璃基片上开设与叉指电极所在区域对应的孔,其中,采用激光烧蚀工艺,在玻璃基片中形成孔,所述孔的位置与大小与所述叉指电极所在区域的位置与大小相适应,所述玻璃基片为Pyrex7740碱性玻璃;将所述玻璃基片与所述硅基衬底粘合,且使所述叉指电极所在区域内嵌于所述孔中,其中,将所述玻璃基片与所述硅基衬底粘合具体为:采用阳极键合工艺将所述玻璃基片与所述硅基衬底键合,其中,所述键合的压力2000N,电压500V;将所述硅基衬底进行切割,以形成所需的离子迁移管,具体为,沿硅基衬底表面预定的标记进行切割,利用硅基衬底与玻璃基片实现一对叉指电极的电绝缘,并获得离子通道,最终得到了独立的微型离子迁移管芯片。
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