[发明专利]一种离子迁移管的制作方法有效

专利信息
申请号: 201310348938.8 申请日: 2013-08-13
公开(公告)号: CN104377100B 公开(公告)日: 2018-01-09
发明(设计)人: 时文华;缪小虎;付思齐;刘彬 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: H01J9/00 分类号: H01J9/00
代理公司: 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙)44316 代理人: 宋鹰武,沈祖锋
地址: 215123 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种离子迁移管的制作方法,在硅基衬底表面沉积金属电极,并对硅基衬底进行刻蚀,以形成独立的一对叉指电极,再在玻璃基片上开设与叉指电极所在区域对应的孔,将玻璃基片与硅基衬底粘合,且使叉指电极所在区域内嵌于孔中,根据需要将玻璃基片进行切片,以形成离子迁移管。本发明利用硅基衬底与玻璃基片实现电绝缘的两对电极,并形成离子迁移通道,再根据实际需要将玻璃基片进行切片,形成离子迁移管,实现离子迁移管的微型化。
搜索关键词: 一种 离子 迁移 制作方法
【主权项】:
一种离子迁移管的制作方法,其特征在于,包括下述步骤:在硅基衬底的一个表面沉积金属电极,具体为,选用N型掺杂、电阻率为0.001Ω·cm的硅基作为衬底,通过光刻工艺在硅基衬底表面形成电极图形,再在电极图形上采用金属蒸镀形成Al电极,将样品浸没与丙酮中并超声处理、剥离后在硅基衬底形成Al电极;对所述硅基衬底进行刻蚀,以形成独立的一对叉指电极,采用AZ4620光刻胶,光刻形成掩膜,采用反应离子深度刻蚀工艺将硅基衬底刻蚀穿,以形成独立的一对叉指电极,其中,采用的刻蚀气体为SF6和C4F8;提供一玻璃基片,并在玻璃基片上开设与叉指电极所在区域对应的孔,其中,采用激光烧蚀工艺,在玻璃基片中形成孔,所述孔的位置与大小与所述叉指电极所在区域的位置与大小相适应,所述玻璃基片为Pyrex7740碱性玻璃;将所述玻璃基片与所述硅基衬底粘合,且使所述叉指电极所在区域内嵌于所述孔中,其中,将所述玻璃基片与所述硅基衬底粘合具体为:采用阳极键合工艺将所述玻璃基片与所述硅基衬底键合,其中,所述键合的压力2000N,电压500V;将所述硅基衬底进行切割,以形成所需的离子迁移管,具体为,沿硅基衬底表面预定的标记进行切割,利用硅基衬底与玻璃基片实现一对叉指电极的电绝缘,并获得离子通道,最终得到了独立的微型离子迁移管芯片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,未经中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310348938.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top