[发明专利]具有带负电荷浅沟槽隔离(STI)衬里的像素及其形成方法

摘要

本申请案涉及一种具有带负电荷浅沟槽隔离STI衬里的像素及一种用于形成所述像素的方法。像素的实施例包含：衬底，其具有前表面；及光敏区，其形成于所述衬底的所述前表面中或附近。隔离沟槽邻近于所述光敏区而形成于所述衬底的所述前表面中。所述隔离沟槽包含：沟槽，其具有底部及侧壁；钝化层，其形成于所述底部及所述侧壁上；及填充物，其用以填充所述沟槽的未由所述钝化层填充的部分。

主权项

一种像素，其包括：衬底，其具有前表面；光敏区，其形成于所述衬底的所述前表面中或附近；隔离沟槽，其邻近于所述光敏区而形成于所述衬底的所述前表面中，所述隔离沟槽包括：沟槽，其形成于所述衬底的所述前表面中，所述沟槽包含底部及侧壁；钝化层，其形成于所述底部及侧壁上；填充物，其用以填充所述沟槽的未由所述钝化层填充的部分。