[发明专利]具有带负电荷浅沟槽隔离(STI)衬里的像素及其形成方法无效
申请号: | 201310348812.0 | 申请日: | 2013-08-12 |
公开(公告)号: | CN103681709A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 钱胤;戴幸志;陈刚;毛杜立;文森特·韦内齐亚;霍华德·E·罗兹 | 申请(专利权)人: | 全视科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/82 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 齐杨 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 负电荷 沟槽 隔离 sti 衬里 像素 及其 形成 方法 | ||
1.一种像素,其包括:
衬底,其具有前表面;
光敏区,其形成于所述衬底的所述前表面中或附近;
隔离沟槽,其邻近于所述光敏区而形成于所述衬底的所述前表面中,所述隔离沟槽包括:
沟槽,其形成于所述衬底的所述前表面中,所述沟槽包含底部及侧壁;
钝化层,其形成于所述底部及侧壁上;
填充物,其用以填充所述沟槽的未由所述钝化层填充的部分。
2.根据权利要求1所述的像素,其中所述钝化层为具有固定负电荷的电介质。
3.根据权利要求2所述的像素,其中具有固定负电荷的所述电介质为氧化铝(Al2O3)、氧化铪(HfO2)、氧化钽(TaO)或其某一组合。
4.根据权利要求1所述的像素,其中所述钝化层为经预应力的钝化层。
5.根据权利要求4所述的像素,其中所述钝化层经预应力而处于拉伸状态。
6.根据权利要求4所述的像素,其中所述经预应力的钝化层为具有固定负电荷的电介质。
7.根据权利要求1所述的像素,其中所述钝化层具有在实质上1纳米与10纳米之间的厚度。
8.根据权利要求1所述的像素,其进一步包括形成于所述钝化层与所述沟槽的所述侧壁及底部之间的薄氧化物层。
9.根据权利要求1所述的像素,其中所述沟槽的所述侧壁实质上垂直于所述沟槽的所述底部。
10.根据权利要求9所述的像素,其中所述沟槽具有高的深宽比。
11.根据权利要求1所述的像素,其中氧化物层形成于所述填充物与所述钝化层之间。
12.一种方法,其包括:
在衬底的前表面中形成沟槽,所述沟槽包含侧壁及底部;
在所述沟槽的所述侧壁上及在所述沟槽的所述底部上形成钝化层;
填充所述沟槽的未由所述钝化层填充的部分。
13.根据权利要求12所述的方法,其中通过原子层沉积ALD来形成所述钝化层。
14.根据权利要求12所述的方法,其中所述钝化层为具有固定负电荷的电介质。
15.根据权利要求14所述的方法,其中具有固定负电荷的所述电介质为氧化铝(Al2O3)、氧化铪(HfO2)、氧化钽(TaO)或其某一组合。
16.根据权利要求12所述的方法,其进一步包括对所述钝化层施加预应力。
17.根据权利要求16所述的方法,其中对所述钝化层施加预应力包括对所述钝化层施加预应力使其处于拉伸状态。
18.根据权利要求12所述的方法,其进一步包括在所述钝化层与所述沟槽的所述侧及底部之间形成薄氧化物层。
19.根据权利要求18所述的方法,其中通过大气氧化自然地形成所述薄氧化物层。
20.根据权利要求12所述的方法,其进一步包括在所述衬底的所述前表面上或附近邻近于隔离沟槽形成光敏区。
21.根据权利要求12所述的方法,其中在填充物与所述钝化层之间形成氧化物层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的